工業(yè)CT部件的發(fā)展現(xiàn)狀
日期：2025-08-03 00:04
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摘要：
工業(yè)CT（industrial computerized tomography）是指應用于工業(yè)中的核成像技術。其基本原理是依據(jù)輻射在被檢測物體中的減弱和吸收特性。同物質對輻射的吸收本領與物質性質有關。所以，利用放射性核素或其他輻射源發(fā)射出的、具有一定能量和強度的X射線或γ射線，在被檢測物體中的衰減規(guī)律及分布情況，就有可能由探測器陳列獲得物體內部的詳細信息，*后用計算機信息處理和圖像重建技術，以圖像形式顯示出來。
輻射源
射線源常用X射線機和直線加速器。X射線機的峰值能量范圍從數(shù)十到450 keV，且射線能量和強度都是可調的;直...
工業(yè)CT（industrial computerized tomography）是指應用于工業(yè)中的核成像技術。其基本原理是依據(jù)輻射在被檢測物體中的減弱和吸收特性。同物質對輻射的吸收本領與物質性質有關。所以，利用放射性核素或其他輻射源發(fā)射出的、具有一定能量和強度的X射線或γ射線，在被檢測物體中的衰減規(guī)律及分布情況，就有可能由探測器陳列獲得物體內部的詳細信息，*后用計算機信息處理和圖像重建技術，以圖像形式顯示出來。
輻射源
輻射源
射線源常用X射線機和直線加速器。X射線機的峰值能量范圍從數(shù)十到450 keV，且射線能量和強度都是可調的;直線加速器的射線能量一般不可調，常用的峰值射線能量范圍在1一16 MeV。其共同優(yōu)點是切斷電源以后就不再產生射線，焦點尺寸可做到微米量級。
探測器
目前常用的探測器主要有高分辨CMOS半導體芯片、平板探測器和閃爍探測器三種類型。半導體芯片具有*小的像素尺寸和*大的探測單元數(shù)，像素尺寸可小到10 μm左右。平板探測器通常用表面覆蓋數(shù)百微米的閃爍晶體(如CsI)的非晶態(tài)硅或非晶態(tài)硒做成，像素尺寸約127 μm，其圖像質量接近于膠片照相。閃爍探測器的優(yōu)點是探測效率高，尤其在高能條件下，它可以達到16 ~ 20 bit的動態(tài)范圍，且讀出速度在微秒量級。其主要缺點是像素尺寸較大，其相鄰間隔(節(jié)距)一般≥0. 1 mm。
樣品掃描系統(tǒng)
樣品掃描系統(tǒng)從本質上說是一個位置數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)。工業(yè)CT常用的掃描方式是平移一旋轉((TR)方式和只旋轉(RO)方式兩種。RO掃描方式射線利用效率較高，成像速度較快。但TR掃描方式的偽像水平遠低于RO掃描方式，且可以根據(jù)樣品大小方便地改變掃描參數(shù)(采樣數(shù)據(jù)密度和掃描范圍)。特別是檢測大尺寸樣品時其優(yōu)越性更加明顯，源探測器距離可以較小，以提高信號幅度等。
